IRFD220PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом
Артикул:
IRFD220PBF
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусHVMDIP-4
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка100 шт
-
Вес брутто0.6 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFD220PBF
The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• End stackable
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 ом при 0.48a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Крутизна характеристики, S | 1.1 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 0.6 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара