AP450H12X4B, Полумостовой модуль IGBT 1200В, 450A, корпус 62мм

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
AP450H12X4B
Производитель:
Тип упаковки:
Штучный товар
Нормоупаковка:
1 шт
Напряжение коллектор-эмиттер:
1200В
Ток коллектора:
450А

Технические параметры

Напряжение коллектор-эмиттер

1200В

Ток коллектора

450А

Вес брутто

350 г.

Описание AP450H12X4B

Полумостовой модуль IGBT 1200В, 450A, корпус 62мм

Аналоги и возможные замены

DFI450HF12DF1 Полный аналог IGBT Модуль Half Bridge 1200В 450А, корпус 62мм Производитель: Wuxi Leapers Semiconductor Co., Ltd.
Наличие:
0 шт

Под заказ:
43 шт
Цена от:
от 6 747,72
Акция
FF450R12KT4HOSA1 Полный аналог Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
30 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 10 533,12
XNG450B24KC2S Полный аналог Полумостовой модуль IGBT 1200В 450A 62мм Производитель: Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 9 251,22

Способы доставки в Калининград

Доставка AP450H12X4B , Полумостовой модуль IGBT 1200В, 450A, корпус 62мм в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 686
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 325
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2224
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 5 раб. дней
от 747
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.