SI3430DV-T1-GE3, Транзистор MOSFET одиночный

Код товара: 591734

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI3430DV-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
100V
Ток стока макс.:
1.8A (Ta)
Сопротивление открытого канала:
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Мощность макс.:
1.14W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100V

Ток стока макс.

1.8A (Ta)

Сопротивление открытого канала

170 mOhm @ 2.4A, 10V

Мощность макс.

1.14W

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

2V @ 250 µA (Min)

Заряд затвора

6.6nC @ 10V

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-23-6

Описание SI3430DV-T1-GE3

Способы доставки в Калининград

Доставка SI3430DV-T1-GE3 в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.