IRF7413TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Obsolete
MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Артикул:
IRF7413TRPBF
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.23 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Полезная информация
Описание IRF7413TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 13 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 8,6 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 52 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 18 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1800 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7413PBF MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара