HGTG10N120BND, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTG10N120BND
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 1.2KV 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
TO-247
Цена от:
294,19 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 5+ 9+ 17+ 30+311,95 ₽ 308,82 ₽ 305,08 ₽ 300,41 ₽ 294,19 ₽Срок:В наличииНаличие:31Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 5+ 9+ 17+ 30+311,95 ₽ 308,82 ₽ 305,08 ₽ 300,41 ₽ 294,19 ₽Срок:В наличииНаличие:5Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание HGTG10N120BND
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGTG10N120BND , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 253 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 611 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 324 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 196 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара