FF23MR12W1M1PB11BPSA1, Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1.2KВ 50A
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
Тип упаковки:
Штучный товар
Нормоупаковка:
1 шт
Корпус:
Module
Цена от:
6 852,37 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 2+ 3+ 4+ 5+7 194,48 ₽ 7 137,77 ₽ 7 068,33 ₽ 6 978,76 ₽ 6 852,37 ₽Срок:В наличииНаличие:6Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FF23MR12W1M1PB11BPSA1
| Продукт | Power MOSFET Modules |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Серия | CoolSiC Module |
| Вес изделия | 24 g |
| ECCN | EAR99 |
| Тип | CoolSiC MOSFET |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC ~ EasyDUAL ~ PressFIT |
| Упаковка / блок | AG-EASY1BM-2 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Vf - прямое напряжение | 4.6 V at 50 A |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.45 V |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Типичное время задержки выключения | 43.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FF23MR12W1M1PB11BPSA1 , Модуль силовой SiC MOSFET N-канальный 1.2KВ 50A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара