C3M0021120D, Транзистор N-MOSFET, SiC; технология C3M; 1200 В; 81 А; 21 мОм; 469 Вт; TO-247-3.

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Power MOSFET N-Channel 1200V 81A 21mOhm

Транзистор N-MOSFET, SiC; технология C3M; 1200 В; 81 А; 21 мОм; 469 Вт; TO-247-3.

C3M0021120D pdf, 0,8 мБ

Код товара: 544195

Дата обновления: 21.12.2023 18:10

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка C3M0021120D , Транзистор N-MOSFET, SiC; технология C3M; 1200 В; 81 А; 21 мОм; 469 Вт; TO-247-3. в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-247
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

30 шт
Вес брутто

8.12 г.

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← MD200HFR120C2S C3M0032120K →