LQG15HS3N0B02D, Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.1нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
3nH 800mA
Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3nH 0.1nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 T/R
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.1нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3нГн ±0.1нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 125мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
Артикул:
LQG15HS3N0B02D
Производитель:
Технические параметры
-
Корпус0402
-
Нормоупаковка10000 шт
Функциональные аналоги
-
LQG15HS3N0S02D Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 T/RНаличие:22146 штМинимум:штЦена от:0,52 ₽MURATA0402
-
LQG15HS3N0S02J Inductor RF Chip Unshielded Multi-Layer 3nH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 800mA 125mOhm DCR 0402 T/RMURATA0402
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара