HKTD4N65, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 660В 4A, 2.6Ом
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HKTD4N65
Производитель:
Артикул производителя:
HKTD4N65
Описание Eng:
N-CHANNEL Power MOSFET 650V 4A 2.6 Ohm
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4А
Сопротивление открытого канала:
2.6Ом
Тип транзистора:
N-канальный
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Связаться с инженером по применению Заказать бесплатный образец
Цена от:
13,06 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 37+ 74+ 148+ 295+16,32 ₽ 15,81 ₽ 15,12 ₽ 14,21 ₽ 13,06 ₽Срок:В наличииНаличие:1 924Минимум:19Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 37+ 74+ 148+ 295+16,32 ₽ 15,81 ₽ 15,12 ₽ 14,21 ₽ 13,06 ₽Срок:В наличииНаличие:88Минимум:4Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание HKTD4N65
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 660В 4A, 2.6Ом
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HKTD4N65 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 660В 4A, 2.6Ом
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 579 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2387 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1756 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 933 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 546 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара