IPD50R800CEAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK
Цена от:
41,40 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 13+ 25+ 50+ 100+47,10 ₽ 46,32 ₽ 45,18 ₽ 43,68 ₽ 41,40 ₽Срок:В наличииНаличие:720Минимум:7Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 13+ 25+ 50+ 100+47,10 ₽ 46,32 ₽ 45,18 ₽ 43,68 ₽ 41,40 ₽Срок:В наличииНаличие:50Минимум:2Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IPD50R800CEAUMA1
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | CoolMOS CE |
| Вес изделия | 340 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 12.4 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 15.9 ns |
| Время нарастания | 5.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.2 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IPD50R800CEAUMA1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 355 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара