IRFBG30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом

Код товара: 44476

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRFBG30PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

1000В

Ток стока макс.

3.1A

Сопротивление открытого канала

5 Ом

Мощность макс.

125Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

80нКл

Входная емкость

980пФ

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-220AB

Вес брутто

2.93 г.

Описание IRFBG30PBF

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5 ом при 1.9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125
Крутизна характеристики, S2.1
Корпусto220ab
Пороговое напряжение на затворе4
Вес, г2.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IRFBG30PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.