FDD6N50TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK

Код товара: 438805

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDD6N50TM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
D-Pak
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
900 мОм @ 3А, 10В
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

500В

Ток стока макс.

6A(Tc)

Сопротивление открытого канала

900 мОм @ 3А, 10В

Мощность макс.

89Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Standard

Пороговое напряжение включения макс.

5В @ 250 µA

Заряд затвора

16.6нКл @ 10В

Входная емкость

9400пФ @ 25В

Тип монтажа

Surface Mount

Описание FDD6N50TM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK

Аналоги и возможные замены

FDD6N50TM-F085 Полный аналог Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка FDD6N50TM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.