IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Артикул:
IRF2805STRLPBF
Производитель:
Технические параметры
-
КорпусD2PAK/TO263
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка800 шт
-
Вес брутто1.7 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF2805STRLPBF
МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 135 A |
Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
Максимальное рассеяние мощности | 200 W |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 9.65мм |
Высота | 4.83мм |
Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.67мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 14 ns |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 68 нс |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 4,7 мΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 150 нКл |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 5110 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара