IRF2805STRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
Код товара: 432927
Цена от:
248,99 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRF2805STRLPBF
МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 135 A |
Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
Максимальное рассеяние мощности | 200 W |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 9.65мм |
Высота | 4.83мм |
Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.67мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 14 ns |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 68 нс |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 4,7 мΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 55 В |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 150 нКл |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 5110 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 2.5 |
Способы доставки в Калининград
Доставка IRF2805STRLPBF , Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара