IRFS4115TRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 195A
Код товара: 423376
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFS4115TRLPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
188,09 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 21+ 41+ 81+ 161+233,63 ₽ 217,58 ₽ 205,74 ₽ 196,34 ₽ 188,09 ₽Срок:В наличииНаличие:1 653Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 21+ 41+ 81+ 161+233,63 ₽ 217,58 ₽ 205,74 ₽ 196,34 ₽ 188,09 ₽Срок:В наличииНаличие:79Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
22+ 43+ 213+588,28 ₽ 553,38 ₽ 543,41 ₽Срок:7 днейНаличие:900Минимум:Мин: 22Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFS4115TRLPBF
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 195 A |
| Package Type | D2PAK (TO-263) |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Width | 11.3mm |
| Forward Transconductance | 97s |
| Height | 4.83mm |
| Dimensions | 10.67 x 11.3 x 4.83mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 10.67mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
| Brand | Infineon |
| Typical Turn-Off Delay Time | 41 ns |
| Series | HEXFET |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 12.1 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Pin Count | 3 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 5270 pF @ 50 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
irfs4115pbf.pdfАналоги и возможные замены
Способы доставки в Калининград
Доставка IRFS4115TRLPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 195A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 802 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2299 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара