SIHG35N60EF-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт
MOSFET, N-CH, 32A, 600V, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:250W
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт
Артикул:
SIHG35N60EF-GE3
Производитель:
Технические параметры
-
КорпусTO-247
-
Нормоупаковка1 шт.
-
Вес брутто6.8 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Тип монтажа
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара