SIHG35N60EF-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт
Код товара: 421384
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SIHG35N60EF-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 32A, 600V, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:250W
Нормоупаковка:
1 шт.
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
32А
Сопротивление открытого канала:
0.084Ом
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Цена от:
629,92 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание SIHG35N60EF-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHG35N60EF-GE3 , Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара