IRLB8314PBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 184A [TO-220]
Код товара: 413100
Цена от:
97,25 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IRLB8314PBF
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 171 A |
Тип корпуса | TO-220AB |
Максимальное рассеяние мощности | 125 W |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Ширина | 4.83мм |
Прямая активная межэлектродная проводимость | 307S |
Высота | 16.51мм |
Размеры | 10.67 x 4.83 x 16.51мм |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.67мм |
Типичное время задержки включения | 19 ns |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 32 нс |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 3,2 мΩ |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
Число контактов | 3 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 5050 пФ при 10 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Прямое напряжение диода | 1V |
Вес, г | 2.5 |
Способы доставки в Калининград
Доставка IRLB8314PBF , Транзистор HEXFET N-канал 30В 184A [TO-220]
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара