IPW60R099C6FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37,9A 278Вт 0,099Ом TO247
Код товара: 413029
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPW60R099C6FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
N-Ch 600V 37,9A 278W 0,099R TO247
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37.9А
Сопротивление открытого канала:
0.099Ом
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Цена от:
460,20 руб.
Внешние склады
-
15+460,20 ₽Срок:6 днейНаличие:17Минимум:Мин: 15Количество в заказ
Количество: 0 шт.
Стоимость: 0,00 ₽
Технические параметры
Описание IPW60R099C6FKSA1
CoolMOS 600V 38A 99mOhm TO247
Корпус TO-247-3
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 16.13mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Infineon |
| Maximum Continuous Drain Current | 38 A |
| Package Type | TO-247 |
| Maximum Power Dissipation | 278 W |
| Series | CoolMOS C6 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 5.21mm |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Height | 21.1mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 99 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 119 nC |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IPW60R099C6FKSA1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37,9A 278Вт 0,099Ом TO247
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 635 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 301 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2247 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
Почта России
от 10 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара