IKW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Цена от:
186,63 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 17+ 30+ 90+ 150+231,56 ₽ 215,72 ₽ 204,05 ₽ 194,78 ₽ 186,63 ₽Срок:В наличииНаличие:207Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 17+ 30+ 90+ 150+231,56 ₽ 215,72 ₽ 204,05 ₽ 194,78 ₽ 186,63 ₽Срок:В наличииНаличие:690Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 17+ 30+ 90+ 150+231,56 ₽ 215,72 ₽ 204,05 ₽ 194,78 ₽ 186,63 ₽Срок:В наличииНаличие:30Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IKW40N60H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Length | 16.13mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Infineon |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Package Type | TO-247 |
| Maximum Power Dissipation | 306 W |
| Energy Rating | 2.12mJ |
| Mounting Type | Through Hole |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Width | 5.21mm |
| Height | 21.1mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Channel Type | N |
| Gate Capacitance | 2190pF |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IKW40N60H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 145 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара