IKW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт

Код товара: 412463

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IKW40N60H3FKSA1
Производитель:
Описание Eng:
IGBT Chip N-CH 600V 80A 306 W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
30 шт
Корпус:
PG-TO-247-3

Описание IKW40N60H3FKSA1

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

Maximum Operating Temperature+175 °C
Length16.13mm
Transistor ConfigurationSingle
BrandInfineon
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Maximum Continuous Collector Current80 A
Package TypeTO-247
Maximum Power Dissipation306 W
Energy Rating2.12mJ
Mounting TypeThrough Hole
Minimum Operating Temperature-40 °C
Width5.21mm
Height21.1mm
Pin Count3
Dimensions16.13 x 5.21 x 21.1mm
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Channel TypeN
Gate Capacitance2190pF
Вес, г7.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IKW40N60H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.