IKW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Код товара: 412463
Цена от:
202,80 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 19+ 30+ 90+ 150+251,04 ₽ 234,06 ₽ 221,52 ₽ 211,56 ₽ 202,80 ₽Срок:В наличииНаличие:586Минимум:2Количество в заказ
-
1+ 19+ 30+ 90+ 150+251,04 ₽ 234,06 ₽ 221,52 ₽ 211,56 ₽ 202,80 ₽Срок:В наличииНаличие:642Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 19+ 30+ 90+ 150+251,04 ₽ 234,06 ₽ 221,52 ₽ 211,56 ₽ 202,80 ₽Срок:В наличииНаличие:26Минимум:1Количество в заказ
Количество: 0 шт.
Стоимость: 0,00 ₽
Описание IKW40N60H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Length | 16.13mm |
Transistor Configuration | Single |
Brand | Infineon |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Package Type | TO-247 |
Maximum Power Dissipation | 306 W |
Energy Rating | 2.12mJ |
Mounting Type | Through Hole |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Width | 5.21mm |
Height | 21.1mm |
Pin Count | 3 |
Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Channel Type | N |
Gate Capacitance | 2190pF |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW40N60H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 635 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2601 ₽
EMS
от 11 раб. дней
от 1481 ₽
Почта России
от 11 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара