IKW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Код товара: 412463
Цена от:
249,01 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 8+ 15+ 30+ 60+311,22 ₽ 289,92 ₽ 273,01 ₽ 259,24 ₽ 249,01 ₽Срок:В наличииНаличие:320Минимум:1Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 8+ 15+ 30+ 60+311,22 ₽ 289,92 ₽ 273,01 ₽ 259,24 ₽ 249,01 ₽Срок:В наличииНаличие:20Минимум:1Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IKW40N60H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Length | 16.13mm |
Transistor Configuration | Single |
Brand | Infineon |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
Package Type | TO-247 |
Maximum Power Dissipation | 306 W |
Energy Rating | 2.12mJ |
Mounting Type | Through Hole |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Width | 5.21mm |
Height | 21.1mm |
Pin Count | 3 |
Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Channel Type | N |
Gate Capacitance | 2190pF |
Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW40N60H3FKSA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара