LQW18AN8N7D00D, Проволочная SMD индуктивность 8,7нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.7nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T
Проволочная SMD индуктивность 8,7нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 8,7нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току
Артикул:
LQW18AN8N7D00D
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара