FQP50N06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Field-effect transistor, N-channel, 60V 50A 120W

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт

FQP50N06 pdf, 0,6 мБ

Код товара: 37301

Дата обновления: 01.07.2024 08:10

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FQP50N06 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 10 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-220
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

50 шт
Вес брутто

2.95 г.
Напряжение исток-сток макс.

60В
Ток стока макс.

50A
Сопротивление открытого канала

22 мОм
Мощность макс.

120Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

4В
Заряд затвора

41нКл
Входная емкость

1540пФ
Тип монтажа

Through Hole

Полезная информация

Транзисторы и сборки MOSFET компании "Fairchild Semiconductor"

Описание FQP50N06

FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и стойкости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах. Это устройство хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на базе полумостовой топологии. Это устройство хорошо подходит для низковольтных устройств вроде DC-DC преобразователей, высокоэффективного коммутационного оборудования для портативных и устройств с питанием от батареи. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.

• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Улучшенная характеристика dv/dt
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости
• Максимальная температура перехода 175°C

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.022 ом при 25a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	120
Крутизна характеристики, S	40
Корпус	to220ab
Пороговое напряжение на затворе	2.5
Вес, г	2.5

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← 2SK793 IRF510PBF →