2N5551TA, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0,625 Вт

Код товара: 36775

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2N5551TA
Производитель:
Описание Eng:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo
Тип упаковки:
Amunition Pack (лента в коробке)
Нормоупаковка:
2000 шт
Корпус:
TO-92_formed_leads
Тип транзистора:
NPN
Напряжение Колл-Эмитт. Макс:
160 В
Ток коллектора Макс.:
600 мА
Мощность Макс.:
625 мВт
Коэффициент усиления hFE:
80

Технические параметры

Тип транзистора

NPN

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

160 В

Ток коллектора Макс.

600 мА

Мощность Макс.

625 мВт

Коэффициент усиления hFE

80

Тип монтажа

Сквозной

Граничная частота

100 МГц

Корпус

TO-92_formed_leads

Вес брутто

0.31 г.

Описание 2N5551TA

Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0,625 Вт

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

2N5551G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor
2N5551BU Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor
Акция 2N5551-Y Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.6 Вт Производитель: ON Semiconductor
Акция 2N5551 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.6 Вт Производитель: Diotec Semiconductor
Акция 2N5551-YBU Полный аналог Биполярный транзистор Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка 2N5551TA , Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0,625 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
Boxberry
от 2 раб. дней
от 235
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 284
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 1941
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 1 раб. дня
от 473
СДЭК
от 2 раб. дней
от 138
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.