CE201210-R10J, Чип индуктивность ВЧ многослойная 100nH ±5% 0.3A 0.9Om
100nH 300mA
Inductor Chip Multi-Layer 100nH 5% 100MHz 23Q-Factor Ceramic 300mA 900mOhm DCR 0805 Automotive T/R
Чип индуктивность ВЧ многослойная 100nH ±5% 0.3A 0.9Om
Чип индуктивность ВЧ многослойная 100nH ±5% 0.3A 0.9Om
Артикул:
CE201210-R10J
Производитель:
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара