IRF7854TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R
Транзистор полевой N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
Транзистор полевой N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
Артикул:
IRF7854TRPBF
Производитель:
Документы:
Технические параметры
Описание IRF7854TRPBF
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
Тип корпуса | SOIC |
Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 4мм |
Прямая активная межэлектродная проводимость | 12s |
Высота | 1.5мм |
Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 5 |
Типичное время задержки включения | 9.4 ns |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 15 нс |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 13,4 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток | 80 V |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 27 nC @ 10 V |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 1620 пФ при 25 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Прямое напряжение диода | 1.3V |
Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7854PBF N-Ch 80V 10A 2,5W 0,0134 ОмINFSO-8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара