LQW15AN1N3C80D, Проволочная SMD индуктивность 1,3нГн ±0,2нГн 3,15A 12мОм по постоянному току
1.3nH 3.15A
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 1.3nH 0.2nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 3.15A 12mOhm DCR 0402 T/
Проволочная SMD индуктивность 1,3нГн ±0,2нГн 3,15A 12мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 1,3нГн ±0,2нГн 3,15A 12мОм по постоянному току
Артикул:
LQW15AN1N3C80D
Производитель:
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара