FDB12N50TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A D2PAK
Код товара: 358352
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDB12N50TM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Нормоупаковка:
800 шт.
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена от:
71,54 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FDB12N50TM
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 11.5 A |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Максимальное рассеяние мощности | 165 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 9.65мм |
| Высота | 4.83мм |
| Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 25 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Серия | UniFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 650 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 V |
| Число контактов | 3 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 985 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
FDB12N50TM.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка FDB12N50TM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A D2PAK
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 755 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара