FGL40N120ANDTU, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
IGBT Chip N-CH 1200V 64A 500 W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 64 А, 500 Вт
Артикул:
FGL40N120ANDTU
Производитель:
Документы:
Описание FGL40N120ANDTU
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Технология/семейство | npt |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 64 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.2 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 500 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 15 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 110 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | TO-264 |
Структура | n-канал+диод |
Вес, г | 10 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара