IRF7807VD1PBF, Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC

Код товара: 349954

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF7807VD1PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Нормоупаковка:
1 шт.
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

30В

Ток стока макс.

8.3A

Сопротивление открытого канала

25 мОм

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

14нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOIC8

Вес брутто

0.2 г.

Описание IRF7807VD1PBF

Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF7807VD1PBF , Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.