FDA24N40F, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Артикул:
FDA24N40F
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-3P(N)
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто7.78 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDA24N40F
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 ом при 11.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 235 |
| Крутизна характеристики, S | 29 |
| Корпус | TO-3PN |
| Вес, г | 6.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара