LQW2BHN6N8D03L, Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 680мА 110мОм по постоянному току
6.8nH 680mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 6.8nH 0.5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 680mA 110mOhm DCR 0805 T
Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 680мА 110мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 680мА 110мОм по постоянному току
Артикул:
LQW2BHN6N8D03L
Производитель:
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара