IRL6372TRPBF, MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

Код товара: 343940

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRL6372TRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
4000 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2 N-Channel (Dual)
Особенности:
Logic Level Gate
Максимальное напряжение сток-исток:
30V
Маскимальный ток стока:
8.1A
Максимальная рассеиваемая мощность:
2W
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

2 N-Channel (Dual)

Особенности

Logic Level Gate

Максимальное напряжение сток-исток

30V

Маскимальный ток стока

8.1A

Максимальная рассеиваемая мощность

2W

Вес брутто

0.2 г.

Описание IRL6372TRPBF

SOIC 8/DUAL MOSFET, 30V, 8.1A, 18MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14 мОм

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0179 ом при 8.1a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Крутизна характеристики, S30
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе0.5…1.1
Вес, г0.15

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция IRL6372PBF Полный аналог MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC Производитель: Infineon Technologies

Способы доставки в Калининград

Доставка IRL6372TRPBF , MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.