LQW18AN3N6C00D, Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току
3.6nH 850mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.6nH 0.2nH 100MHz 25Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/
Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току
Артикул:
LQW18AN3N6C00D
Производитель:
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара