IRFR5305TRLPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом

Код товара: 342545

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRFR5305TRLPBF
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

55В

Ток стока макс.

31A

Сопротивление открытого канала

65 мОм

Мощность макс.

110Вт

Тип транзистора

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

63нКл

Входная емкость

1200пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.57 г.

Описание IRFR5305TRLPBF

The IRFR5305TRLPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating

Id - непрерывный ток утечки31 A
Pd - рассеивание мощности110 W
Qg - заряд затвора42 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток55 V
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.4 V
Вид монтажаSMD/SMT
Время нарастания66 ns
Время спада63 ns
Высота2.3 mm
Длина6.5 mm
Канальный режимEnhancement
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
КонфигурацияSingle
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.8 S
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Минимальная рабочая температура55 C
ПодкатегорияMOSFETs
Полярность транзистораP-Channel
Размер фабричной упаковки3000
ТехнологияSi
Тип продуктаMOSFET
Тип транзистора1 P-Channel
Типичное время задержки выключения39 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-252-3
Ширина6.22 mm
Вес, г0.4

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRFR5305TRPBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
28 272 шт

Под заказ:
2 770 шт
Цена от:
от 41,42
Акция SK35P06 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом Производитель: SHIKUES
Наличие:
27 213 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 17,31
Акция IRFR5305PBF Полный аналог Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом Производитель: Infineon Technologies

Способы доставки в Калининград

Доставка IRFR5305TRLPBF , Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.