IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK

Код товара: 342409

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IPD122N10N3GATMA1
Производитель:
Описание Eng:
N-Channel 100 V 12.2 mOhm 26 nC OptiMOSв„ў Power Mosfet - DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Сопротивление открытого канала:
12.2мОм
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
силовой
Тип монтажа:
Surface Mount

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

100В

Сопротивление открытого канала

12.2мОм

Тип транзистора

N-канальный

Особенности

силовой

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-252-3

Вес брутто

0.55 г.

Описание IPD122N10N3GATMA1

Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IPD122N10N3GATMA1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.