IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
Код товара: 342409
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPD122N10N3GATMA1
Производитель:
Описание Eng:
N-Channel 100 V 12.2 mOhm 26 nC OptiMOSв„ў Power Mosfet - DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Сопротивление открытого канала:
12.2мОм
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
силовой
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена от:
95,98 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 11+ 21+ 41+ 82+109,56 ₽ 108,15 ₽ 106,42 ₽ 104,20 ₽ 101,28 ₽Срок:В наличииНаличие:182Минимум:3Количество в заказ
Внешние склады
-
73+ 122+ 244+ 1216+105,66 ₽ 103,90 ₽ 97,74 ₽ 95,98 ₽Срок:6 днейНаличие:2 430Минимум:Мин: 73Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IPD122N10N3GATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Infineon-IPD122N10N3_G_.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка IPD122N10N3GATMA1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара