IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

N-Channel 100 V 12.2 mOhm 26 nC OptiMOSв„ў Power Mosfet - DPAK

Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK

Infineon-IPD122N10N3_G_ pdf, 503,2 кБ

Код товара: 342409

Дата обновления: 03.07.2024 16:10

Цена от: 97,74 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IPD122N10N3GATMA1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-252-3
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

2500 шт
Вес брутто

0.55 г.
Напряжение исток-сток макс.

100В
Сопротивление открытого канала

12.2мОм
Тип транзистора

N-канальный
Особенности

силовой
Тип монтажа

Surface Mount

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IPD65R400CEAUMA1 IPD25N06S4L30ATMA2 →