LQW15AN13NG00D, Проволочная SMD индуктивность 13нГн ±2% 430мА 210мОм по постоянному току
13nH 430mA 2%
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 13nH 2% 100MHz 25Q-Factor Ceramic 430mA 210mOhm DCR 0402 T/R
Проволочная SMD индуктивность 13нГн ±2% 430мА 210мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 13нГн ±2% 430мА 210мОм по постоянному току
Артикул:
LQW15AN13NG00D
Производитель:
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара