IRF610PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 36Вт 200В 3.3А 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Код товара: 339507

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF610PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.3A
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

3.3A

Мощность макс.

36Вт

Тип транзистора

N-канал

Тип монтажа

Through Hole

Корпус

TO-220AB

Вес брутто

3.5 г.

Описание IRF610PBF

The IRF610PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Easy to parallel
• Simple drive requirement

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 ом при 2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт36
Крутизна характеристики, S0.8
Корпусto220ab
Пороговое напряжение на затворе2…4
Вес, г2.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF610PBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 36Вт 200В 3.3А 3-Pin(3+Tab) TO-220AB в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.