LQW2BASR82J00L, Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

Код товара: 337562

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
LQW2BASR82J00L
Примечание:
820nH 180mA
Описание Eng:
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 820nH 5% 25MHz 23Q-Factor Ceramic 180mA 2.35Ohm DCR 0805 T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2000 шт
Корпус:
0805
Индуктивность:
820nH
Допуск:
±5%
Максимальный ток:
180mA
Резонансная частота:
25MHz

Технические параметры

Индуктивность

820nH

Допуск

±5%

Максимальный ток

180mA

Резонансная частота

25MHz

Корпус

0805

Вес брутто

0.06 г.

Описание LQW2BASR82J00L

Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка LQW2BASR82J00L , Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.