CE201210-3N3J, Чип индуктивность ВЧ многослойная 3.3nH ±5% 0.3A 0.13Om
Multi-Layer Chip Inductor 0805 3.3nH ±5% 0.3A 0.13Om
Чип индуктивность ВЧ многослойная 3.3nH ±5% 0.3A 0.13Om
Чип индуктивность ВЧ многослойная 3.3nH ±5% 0.3A 0.13Om
Артикул:
CE201210-3N3J
Производитель:
Технические параметры
-
Нормоупаковка20000 шт.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара