LQW2BHNR18G03L, Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±2% 250мА 710мОм по постоянному току
180nH 250mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 180nH 2% 100MHz 35Q-Factor Ceramic 250mA 710mOhm DCR 0805 T/R
Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±2% 250мА 710мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 180нГн ±2% 250мА 710мОм по постоянному току
Артикул:
LQW2BHNR18G03L
Производитель:
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара