LQW2BHN3N1D13L, Проволочная SMD индуктивность 3,1нГн ±0,5нГн 1,8A 20мОм по постоянному току
3.1nH 1.8A
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3,1nH 0,5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 1800mA 20mOhm DCR 0805 T/R
Проволочная SMD индуктивность 3,1нГн ±0,5нГн 1,8A 20мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 3,1нГн ±0,5нГн 1,8A 20мОм по постоянному току
Артикул:
LQW2BHN3N1D13L
Производитель:
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара