LQW2BHN8N2D03L, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току
8.2nH 630mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 20Q-Factor Ceramic 630mA 120mOhm DCR 0805 T
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 630мА 120мОм по постоянному току
Артикул:
LQW2BHN8N2D03L
Производитель:
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара