LQW2BHN56NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 430мА 260мОм по постоянному току
56nH 430mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 56nH 5% 100MHz 40Q-Factor Ceramic 430mA 260mOhm DCR 0805 T/R
Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 430мА 260мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 56нГн ±5% 430мА 260мОм по постоянному току
Артикул:
LQW2BHN56NJ03L
Производитель:
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара