LQW2BHN12NJ03L, Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 680мА 110мОм по постоянному току
12nH 680mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 12nH 5% 100MHz 30Q-Factor Ceramic 680mA 110mOhm DCR 0805 T/R
Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 680мА 110мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 12нГн ±5% 680мА 110мОм по постоянному току
Артикул:
LQW2BHN12NJ03L
Производитель:
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара