LQW18AN4N7D00D, Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току
4.7nH 850mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 4.7nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 850mA 59mOhm DCR 0603 T/R
Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,5нГн 850мА 59мОм по постоянному току
Артикул:
LQW18AN4N7D00D
Производитель:
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара