M50100TB1600, Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 600В 100А 2.5кВ
MODULE POWER 100A 1600V 3PH BRDG
Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 600В 100А 2.5кВ
Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 600В 100А 2.5кВ
Артикул:
M50100TB1600
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусModule
-
Нормоупаковка2 шт.
-
Тип моста
-
Ток
-
Обратное напряжение
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара