M50100TB1200, Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 480В 100А 2.5кВ
MODULE POWER 100A 1200V 3PH BRDG
Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 480В 100А 2.5кВ
Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 480В 100А 2.5кВ
Артикул:
M50100TB1200
Производитель:
Документы:
Технические параметры
-
КорпусModule
-
Нормоупаковка3 шт.
-
Тип моста
-
Ток
-
Обратное напряжение
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара