RD07MVS1-T512, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

Код товара: 316048

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
RD07MVS1-T512
Производитель:
Описание Eng:
Field-effect transistor, radio frequency, 175 MHz, 7 W, 7.2 V
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
QFN12
Показать аналоги

Описание RD07MVS1-T512

Характеристики

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм-
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Крутизна характеристики, S-
Корпусslp
Особенности175/520мгц 7вт
Пороговое напряжение на затворе2.4

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

RD07MVS1B Полный аналог Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C Производитель: Mitsubishi Electric

Способы доставки в Калининград

Доставка RD07MVS1-T512 , Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.