FDA59N25, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
Код товара: 308108
Цена от:
358,84 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание FDA59N25
The FDA59N25 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
• 63nC Typical low gate charge
• 70pF Typical low Crss
• 100% Avalanche tested
Base Product Number | FDA59 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 59A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Power Dissipation (Max) | 392W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 29.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | UniFETв„ў -> |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка FDA59N25 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара