STGP10NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт
Описание STGP10NC60KD
The STGP10NC60KD is a 600V short-circuit rugged IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
• Lower on-voltage drop
• Lower CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
• 10µs Short-circuit withstand time
• Low VCE (sat) for reduced conduction losses
• Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling
Технология/семейство | powermesh |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 20 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 65 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 17 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 72 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | to-220 |
Вес, г | 2.5 |