IRF7493TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A
Код товара: 304774
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRF7493TRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
4000 шт
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
57,39 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 18+ 35+ 69+ 137+120,17 ₽ 110,71 ₽ 103,19 ₽ 97,07 ₽ 92,51 ₽Срок:В наличииНаличие:1 317Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 18+ 35+ 69+ 137+120,17 ₽ 110,71 ₽ 103,19 ₽ 97,07 ₽ 92,51 ₽Срок:В наличииНаличие:30Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
4000+ 12000+58,42 ₽ 57,39 ₽Срок:56 днейНаличие:20 000Минимум:Мин: 4 000Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRF7493TRPBF
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 9,3 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2,5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 13S |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 8,3 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 30 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 15 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 80 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 35 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1510 pF @ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1.3V |
| Вес, г | 0.15 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
irf7493pbf.pdfАналоги и возможные замены
IRF7493PBF Полный аналог
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.2А 2.5Вт, 0.015 Ом
Способы доставки в Калининград
Доставка IRF7493TRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 769 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 708 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара