IRF7493TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A

Name: IRF7493TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A
Brand: Infineon Technologies
SKU: 304774
Availability: InStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Obsolete

MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A

irf7493pbf pdf, 159,6 кБ

Код товара: 304774

Дата обновления: 18.07.2024 00:10

Цена от: 85,50 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF7493TRPBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

SO-8
Тип упаковки

Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка

4000 шт
Вес брутто

0.2 г.
Напряжение исток-сток макс.

80В
Ток стока макс.

9.3A
Сопротивление открытого канала

15 мОм
Мощность макс.

2.5Вт
Тип транзистора

N-канал
Особенности

Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.

4В
Заряд затвора

53нКл
Входная емкость

1510пФ
Тип монтажа

Surface Mount

Описание IRF7493TRPBF

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	9,3 A
Тип корпуса	SOIC
Максимальное рассеяние мощности	2,5 Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Ширина	4мм
Прямая активная межэлектродная проводимость	13S
Высота	1.5мм
Размеры	5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	5мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	8,3 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	30 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	15 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	80 V
Число контактов	8
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	35 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	1510 pF @ 25 V
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода	1.3V
Вес, г	0.15

Полные аналоги

Наименование

Наличие

Цена от

Производитель

Корпус
IRF7493PBF MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC Tube

Сообщить о поступлении

INF

SO-8

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← NX3008NBKW,115 IRF9333TRPBF →