FQD12N20LTM, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А

Код товара: 304460

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQD12N20LTM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение исток-сток макс.

200В

Ток стока макс.

9A

Сопротивление открытого канала

280 мОм

Мощность макс.

2.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

21нКл

Входная емкость

1080пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DPAK/TO-252AA

Описание FQD12N20LTM

Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

FQD12N20LTM-F085 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка FQD12N20LTM , Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.